지표 | v1.0 데이터 | 기준 (거래일/회계연도) |
종가 | 7,720원 | 2026-04-24 |
시가총액 | 약 1,058억원 | 2026-04-24 |
발행주식 총수 | [N/A] | DART 임원소유보고서 2026-02-09 |
매출성장률(YoY) | +16.6% | FY2025 결산 |
영업이익률(OPM) | -229.31% | FY2025 결산 |
ROE | -25.51% | FY2025 결산 |
PER (TTM) | 적자 (-9.34배) | 2026-03 |
PBR (MRQ) | 2.72배 | 2026-03 |
부채비율 | [N/A] | FY2025 |
외국인 지분율 | 0.71% | FnGuide 2026-04-21 |
기업 | 시가총액 | 2025 매출 | OPM | 핵심 본딩 기술 | HBM4 진입 |
ASMPT (0522.HK) | ≈ 42억 USD | HK$13B+ | GP >40% | TCB(AOR Fluxless), HB 2세대 | HBM4 12H 다수 1차 수주 |
BESI (BESI.AS) | ≈ 170억 USD | €591.3M | 29.3% | 하이브리드 본딩 D2W 1위 | Micron HBM4 단독 벤더 가능성 [추정] |
K&S (KLIC) | ≈ 34~46억 USD | $654.1M | ~0% (GAAP) | Wire 1위, FTC TCB | 적용 제한적 |
한미반도체 (042700) | 약 36.9조원 [UPDATE] (≈ 270억 USD) | ₩5,767억 | 43.6% | TC Bonder(MUF 최적), HB 신공장 | HBM3E 12H 글로벌 71.2%, HBM4 TC본더4 양산 본격화 |
한화세미텍 (비상장→상장 검토) | [N/A] | ₩805억 (2025 SK향 신규 TC본더) | [N/A] | TCB | 2025-04~05 SK하이닉스 신규 공급 진입 |
DISCO (6146.JP) | ≈ 520억 USD | [N/A] | [N/A] | 다이싱·그라인딩 | 후공정 보조 |
TEL (8035.JP) | ≈ 1,400억 USD | ¥2.43조 | 28.7% | Wafer bonder 영역 진입 | HBM 라인 광범위 |
레이저쎌 (412350) | 약 0.70억 USD [UPDATE] | ₩47억 | -229% | Area Laser BSOM | 검증 단계, 메모리 PO 부재 |
프로텍 (053610) | 소형주 | ₩1,764억(E) | OP +92.5%(E) [추정] | LAB(IR 점/선) ASE 양산 | TSMC 등 OSAT에 LAB 외부 판매 제한 해제(2025) → 본격 영업 |
비교 항목 | 레이저쎌 LCB | ASMPT TCB | BESI 하이브리드 | 프로텍 LAB |
본딩 방식 | Area Laser 면가열 + 가압 | 가열·가압 | 표면 활성화 직접 결합 | IR 레이저 점/선 가열 + 가압 |
빔 형태 | 면(Area) | - | - | 점/선 |
가열 시간 | 1~3초 (면 단위) | 수십 초 (칩당) | sub-μm 정렬 후 결합 | 2~3초 (칩당) |
적용 범위 | 12인치 웨이퍼급 | 칩 단위 | D2W 정밀 | 3×3~100×100mm² 칩, 50~780μm 두께 |
HBM3E/HBM4 진입 | 미확정 | 확정 | 일부 진입, HBM4E부터 본격 | 비메모리 → HBM 진입 시도 (대신증권 박장욱 2025-04) |
양산 레퍼런스 | TSMC 시범 2대 (추가 발주 ❌), PTI, 싱가포르 CPO 1건 | 다수 메모리·OSAT | TSMC SoIC 등 | ASE 양산 라인 다수 + 외부 판매 제한 해제 |
영업이익률 | -229% | GP >40% | 29.3% | OP +92.5% 추정 (2025 가이던스) |